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千亿战略背后的自主创“芯”梦
2017
09/29
11:10


湖北日报讯 图为:昨日,国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房,实现提前封顶。(记者 张朋 摄)

记者 李墨

昨日,一马平川的光谷东。3座全球单体洁净面积最大的3DNANDFlash生产厂房崛起。8个大字格外醒目:自主创“芯”,产业报国。

国家千亿存储器项目的实施,让武汉从“钢的城”,迈向“硅的城”。

“工业粮食”自主供应

集成电路是信息技术产业的核心,被称为“工业粮食”。长江存储科技有限责任公司总裁杨士宁介绍,国家存储器项目瞄准的目标,是实现国家“工业粮食”的自主供应。

目前,我国生产的许多芯片,离世界级技术的差距在2到3代左右。而三维闪存(3DNAND)技术,差距在两代之内,是工艺和技术水平离世界前沿最近的一个产品。

没有自己的存储器芯片,一旦国际上出现贸易封锁,国内手机厂商拿不到进口的存储芯片就会停产。“这不仅关系信息安全,也关系产业安全。”紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国说,在一些关键的集成电路领域,我们必须拥有一定的自主供应能力。

他说,国家存储器基地建设,对于中国信息产业、互联网乃至整个电子工业的发展,不仅将解决现实问题,更将对全球产业局势起到平衡作用。

由于芯片技术迭代极快,存储器基地建设可谓分秒必争。早在2年前,基地尚未启动时,核心研发便已悄悄开始。

项目力争在2019年实现大规模生产,满产后能供应国内50%以上存储芯片需求。杨士宁形容,武汉存储芯片产业正在用3年时间,追赶别人6年走过的路。“如果等厂房建好再开始研发、试产,至少要晚3年。”

拼搏赶超的武汉速度

2016年12月1日,桩基进场。

180天,完成第一根钢梁吊装。

9个月,一期核心厂房封顶。

截至目前,国家存储器项目已累计完成投资85亿元。而这仅仅是用5年时间锻造“大国重器”的开始。

拼搏赶超,不仅仅在紧张的研发中心,也在成百上千的“安全帽”下。

国家存储器基地项目服务专班负责人明铭介绍,开工至今90天,无论日晒雨淋,项目从未停工。为保障按时打下第一根桩,70天迁移迁改输油输气管线10公里。

目前,项目周边未来二路、未来三路、长芯路均已具备通车条件;科技五路正在按计划节点加快施工。

杨士宁说,芯片制造的产业拉动效应约为1:10。作为最大的集成电路单体投资项目,武汉基地投产后的放大效应将会更大。不久的将来,以千亿存储项目为龙头,光谷将打造一个“芯片—显示—智能终端”的万亿产业集群。


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