图为：位于光谷智能制造产业园的国家集成电路产业项目效果图

昨日，酝酿3年之久的国家集成电路产业项目，落子湖北。

未来几年，武汉光谷东，将随着千亿项目的注入，崛起一座庞大的芯片之城。

240亿美元将投向何处?

它将给武汉光谷、给湖北、给中国带来怎样的产业焕变?

2018年量产240亿美元投向四大方面

武汉新芯集成电路制造有限公司执行副总裁陈少民透露，总投资240亿美元的国家集成电路产业项目，预计2018年量产，2020年实现月产能30万片。

这笔巨大的投入，将主要用于4个方面。首先是研发，包括工艺研发、芯片研发和系统研发。其次是项目基建，国家集成电路产业基地分三期建设，昨日启动的为一期，2018年量产后，同步启动二期、三期建设。至2020年前，一、二、三期全部建成。第三是仪器投入。最后，构建全产业链，把“一棵树”变成“一片林”。

陈少民说，当产能达到30万片时，该基地员工将达1.7万人。除了以武汉新芯为核心的存储器本厂，还将在左岭规划3万人的住宅区，带来大量就业与上下游的配套。

他估算，围绕该基地，至少将吸引几百家配套厂商入驻，包括主控芯片公司、模组公司、封装公司、测试公司等，全产业链打造。

2020年弯道超车17亿颗芯片点亮“芯”湖北

目前，世界存储器主要使用DRAM(关机后丢失数据)和NAND(关机后保留数据)两种技术，绝大部分应用于个人电脑、服务器和智能手机。

关于存储器产品路径选择，到底是倾向于发展目前市场主流的内存DRAM产品，还是代表未来发展趋势的3DNAND产品，此前一直存在争论。

最终，湖北决定保持和国际存储器大厂同样的路线：3DNAND。

2020年，国家集成电路基地30万片月产能中，约20万片为3DNAND存储器，10万片为DRAM存储器。

陈少民称，发展3DNAND立体堆叠存储技术，是由于在生产工艺的物理极限上，2D闪存已经无法继续突破。

智能手机、电脑、云计算的广泛应用，都需要大量存储。相比之下，2D闪存就像是停车场，而3DNAND则是立体停车场。不仅如此，新技术也比2D闪存性能更强，功耗更低，可靠性更高，将逐步取代后者。

去年5月，武汉新芯3DNAND项目研发取得突破性进展，第一个具有9层结构的存储测试芯片，通过存储器功能的电学验证。

20万片3DNAND，折合芯片是多少颗?陈少民说，一个12寸的硅片上有700颗芯片，这意味着，该基地2020年一年将制造出17亿颗芯片。

“这将是湖北集成电路弯道超车的重要机会”，他认为，从市场分析看，2014年全球NAND存储器有298亿美元市场，DRAM达430亿美元，中国市场巨大，但芯片和存储器长期依赖进口，自占率非常少。

当该基地3DNAND月产量达到30万片时，将占全球市场的11%至13%。“那时候中国NAND的市场，可能达到世界近一半”。

跻身国家战略打造中国存储器中心

武汉新芯CEO杨士宁博士认为，尽管我们的存储器产业还处在起步阶段，但面临非常难得的历史机遇。去年，全球存储器市场总额达835亿美元，约占全球集成电路市场份额的25%，年均增长率约10%。

物联网和智能化时代的到来，使存储器变得愈发重要，大数据、云计算乃至人们生活点点滴滴的保存，都离不开存储器。在IC产业总产值中，存储器占1/3以上。

我国是全球最大的集成电路进口国，仅2014年进口额就高达2176.2亿美元，集成电路也是我国进口额最大的产品，其中存储器占进口额的24.9%。

存储器关系国家信息安全，但核心技术却被少数国际巨头垄断。杨士宁认为，中国要想在集成电路产业快速突破并打造“中国芯”，发展存储器产业是破题点，也是必由之路。

陈少民说，随着项目落地，目前湖北集成电路产业投入，在各省之中是最大的，这将引发虹吸效应，拉动人才、配套和上下游的集聚，将湖北打造成为中国存储器的中心。

》》》记者手记

人才洼地，呼唤更多“知芯”朋友

昨日，光谷左岭，礼炮声声，这里千亩寂静的黄土地，转眼将变成中国芯片人圆梦的热土。

在随后召开的高峰论坛上，几乎半数嘉宾全英文发言。PPT上各种专业示意图、微电子专业术语、公式代码、纳米级剖面图……令人眼花缭乱。

一组广被嘉宾引用的数据，让人心动——1元钱投入集成电路产业，产能释放后，可放大10倍，把整个产业链加起来能放大100倍。

乘数效应的背后，起决定作用的还是人的智慧与汗水。

按照规划，武汉基地项目在2020年需要3万人就业，2030年则需要吸纳10万人。华中科技大学武汉国际微电子学院副院长缪向水坦言，单靠武汉的相关院校根本培养不了这么多微电子人才。

这需要我们制定切实可行的专业人才引进政策，召唤“知芯”朋友来汉创业。

国家集成电路项目落户湖北背后

十年投入百亿，不改初“芯”

集成电路产业是信息技术产业的核心，被称为“工业粮食”和“生死攸关的工业”。

在过去相当长一段时期，我国的芯片和存储器都大量依赖进口，缺“芯”少“屏”。

昨日，在国家集成电路项目启动现场，一位全程参与该项目落地的负责人感慨：苦追3年，奋斗10年，这颗“芯”总算落地了。

作为国家级光电子产业基地，光谷早在2000年初就开始筹划发展集成电路相关产业。2006年武汉新芯诞生，这是中部地区第一条12英寸集成电路生产线项目。此前，新芯只是中芯国际旗下的一座托管工厂，没有自己的技术体系。

2013年，中芯国际退出运营，武汉新芯开始自主研发，组建团队自己干，由美国归来的杨士宁博士出任首席执行官。“这一步是非常正确的，建立了自己的技术话语权”。

过去10年，湖北省、武汉市和东湖高新区累计投入100多亿元，用于武汉新芯发展集成电路产业。尽管新芯这几年并没挣到钱，但是一直在坚持。在这个过程中，去年年初还提前布局3DNAND存储器的研发，与三星等世界巨头是同步的。“当时国家战略还未明确，我们就开始干了，如果不是这个基础，这个千亿项目不可能放在武汉”。

前年，北京、上海、武汉、深圳被初步框定为4个国家集成电路基地城市。其中，北京、上海主导逻辑芯片，涵盖设计、制造、封装、测试;武汉以存储器为主，主要涵盖设计和制造;深圳是华为、中兴的所在地，有市场需求，将主要发展设计、封装和测试。

该人士称，除了武汉，北京、合肥、厦门等城市，也曾角逐过国家集成电路项目，武汉凭借10年前的布局，最终胜出。

》》》专家访谈

“弯道超车”考验政企执行力

“中国集成电路应该走自主创新的发展道路。”中科院微电子研究所所长叶甜春认为，中国集成电路产业从引进仿制到以市场换技术，通过大范围的国际并购与整合后，中国的集成电路产业和技术都达到了一个新高度，现在是实现创新发展、弯道超车的大好时机。

在叶甜春看来，武汉国家存储器基地项目启动，汇集了天时、地利、人和。“天时”是我国每年进口的芯片中有四分之一是存储芯片，产业需求存在巨大缺口;“地利”是随着国家重大专项和集成电路产业推进纲要的协同实施，经济结构转型的大背景;“人和”是武汉雄厚的科教人才优势。

“关键是考验政府和企业的执行力。”清华大学微电子研究所所长魏少军说，存储微电子学科研究，最大的特点就是“难”。中国存储器研究经历了四代人的努力，但始终没有形成自主品牌。

魏少军介绍，韩国三星采用的就是三维NAND技术，已能将二维存储模块堆叠64层，技术已经领先了。“我不担心技术上的暂时落后，主要是政企双方要摆脱体制和观念的束缚，以合作的心态敞开胸怀，以打持久战的精神开展横向、纵向产业链合作，让武汉基地成为全国的基地、世界的基地”。

未来固态硬盘只有邮票大小

昨日，在“2016武汉国际储存器高峰论坛”上，湖北新生的世界级存储器基地，让海内外嘉宾充满期待。

“未来的固态硬盘可能只有一枚邮票大小。”美国斯坦福大学电气工程系教授黄汉森透露，目前，3DNAND存储器也是美国科技攻关的主要方向。

黄汉森表示，随着3DNAND技术推广应用，固态硬盘将有望全面取代普通机械硬盘。目前，已有厂家把固态硬盘存储容量拓展到120GB，而尺寸仅略大于一个U盘。此外，还有科研团队把2000个存储单元连接到一个晶体管，制成了1TB(等于1024GB)存储容量的固态硬盘，为闪存设备轻量化、小型化创造了可能。

普通机械硬盘用的是磁碟，需要马达驱动旋转，而固态硬盘相当于一个大U盘，读取效率和稳定性大幅优于普通硬盘。

“现在，业界试图提高芯片功能和集成度以降低成本，中国有望在‘超越摩尔’领域赶上甚至超越世界先进水平。”台湾交通大学电机工程学系教授、闪存技术的重要发明人白田理一郎说。